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Référence fabricant | UMT1H2R2MDD1TE |
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Numéro de pièce future | FT-UMT1H2R2MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UMT |
UMT1H2R2MDD1TE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2.2µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 11mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 16.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.059" (1.50mm) |
Taille / Dimension | 0.157" Dia (4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMT1H2R2MDD1TE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UMT1H2R2MDD1TE-FT |
UES1A330MEM
Nichicon
UES0J470MEM1TA
Nichicon
UES0J470MEM1TD
Nichicon
UES1A330MEM1TA
Nichicon
UES1A330MEM1TD
Nichicon
UES1A470MEM1TA
Nichicon
UES1A470MEM1TD
Nichicon
UES1C220MEM1TA
Nichicon
UES1C220MEM1TD
Nichicon
UES1C330MEM1TA
Nichicon
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
EPF6024AQC240-2
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel