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Référence fabricant | UES1A470MEM1TD |
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Numéro de pièce future | FT-UES1A470MEM1TD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UES |
UES1A470MEM1TD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 47µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Bi-Polar |
Évaluations | - |
Applications | Audio |
Courant d'ondulation à basse fréquence | - |
Courant d'ondulation à haute fréquence | - |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.098" (2.50mm) |
Taille / Dimension | 0.248" Dia (6.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.492" (12.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1A470MEM1TD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UES1A470MEM1TD-FT |
UFG1V220MEM1TA
Nichicon
UFG1V220MEM1TD
Nichicon
UFG1V330MEM1TA
Nichicon
UFG1V330MEM1TD
Nichicon
UFG1HR47MDM
Nichicon
UFG1H010MDM1TD
Nichicon
UFG2A2R2MDM1TD
Nichicon
UFG1H0R1MDM
Nichicon
UFG1H4R7MDM
Nichicon
UFG1H010MDM
Nichicon
XCVU3P-1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC6SLX4-L1CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5
Intel
EP4CE115F29I8LN
Intel