maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UHB20FCT-E3/4W
Référence fabricant | UHB20FCT-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-UHB20FCT-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UHB20FCT-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UHB20FCT-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UHB20FCT-E3/4W-FT |
VS-30CTQ045SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel