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Référence fabricant | UGB12JT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB12JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB12JT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB12JT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB12JT-E3/81-FT |
MBRB1645HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1650HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel