maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / UG8JHC0G
Référence fabricant | UG8JHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-UG8JHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
UG8JHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.9V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG8JHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG8JHC0G-FT |
MBR7150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR735 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR735HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR750 C0G
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MBR750HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MBR790HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR820HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel