maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MUR820HC0G
Référence fabricant | MUR820HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR820HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MUR820HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR820HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR820HC0G-FT |
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES520,L3F
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CES521,L3F
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1SS389,H3F
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1SS352,H3F
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1SS424(TPL3,F)
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1SS397TE85LF
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1SS401(TE85L,F)
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1SS370TE85LF
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U1GWJ49(TE12L,F)
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A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel