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Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F

Numéro de pièce MFG
1SS307E,L3F
quantité disponible
37340 Pièces
Prix de référence
USD 0.02392
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
1SS307E,L3F.pdf
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1SS307E,L3F Caractéristiques

Référence fabricant 1SS307E,L3F
Numéro de pièce future FT-1SS307E,L3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
1SS307E,L3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 80V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 100mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.3V @ 100mA
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10nA @ 80V
Capacité @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SC-79, SOD-523
Package d'appareils du fournisseur SC-79
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1SS307E,L3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 1SS307E,L3F-FT

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