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Référence fabricant | 1SS307E,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-1SS307E,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1SS307E,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-79 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS307E,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1SS307E,L3F-FT |
EGP50BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50CHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50CHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation