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Référence fabricant | UG2JA M2G |
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Numéro de pièce future | FT-UG2JA M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG2JA M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG2JA M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG2JA M2G-FT |
S2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JAHR3G
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US1D R3G
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US1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HM2G
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ES1HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U45 M2G
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TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
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Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
Intel