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Référence fabricant | ES1HM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1HM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1HM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1HM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1HM2G-FT |
SS36L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U60 E3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel