maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / US1M R3G
Référence fabricant | US1M R3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-US1M R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US1M R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1M R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1M R3G-FT |
S1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel