maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UG10GCTHE3/45
Référence fabricant | UG10GCTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UG10GCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG10GCTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG10GCTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG10GCTHE3/45-FT |
MBR2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTGHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel