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Référence fabricant | UG10DCT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UG10DCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG10DCT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG10DCT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG10DCT-E3/45-FT |
30CPQ090
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPQ140
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CPU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel