maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / U3C-M3/57T
Référence fabricant | U3C-M3/57T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-U3C-M3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
U3C-M3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
U3C-M3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | U3C-M3/57T-FT |
MURS360HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel