maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RS3DHE3/57T
Référence fabricant | RS3DHE3/57T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RS3DHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS3DHE3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3DHE3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS3DHE3/57T-FT |
30BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel