maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 30BQ060
Référence fabricant | 30BQ060 |
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Numéro de pièce future | FT-30BQ060 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
30BQ060 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
30BQ060 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 30BQ060-FT |
S3J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel