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Référence fabricant | TSM60N900CP ROG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM60N900CP ROG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM60N900CP ROG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60N900CP ROG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM60N900CP ROG-FT |
TSM80N1R2CI C0G
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TSM70N900CI C0G
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
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EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
Intel