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Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI C0G

Name: TSM80N1R2CI C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM80N1R2CI C0G
Price: 1.64 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (196 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM80N1R2CI C0G

quantité disponible: 73860 Pièces

Prix de référence: USD 1.64

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM80N1R2CI C0G.pdf

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TSM80N1R2CI C0G Caractéristiques

Référence fabricant	TSM80N1R2CI C0G
Numéro de pièce future	FT-TSM80N1R2CI C0G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM80N1R2CI C0G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	685pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ITO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM80N1R2CI C0G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM80N1R2CI C0G-FT

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