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TSM60N1R4CP ROG Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CP ROG

Numéro de pièce MFG
TSM60N1R4CP ROG
quantité disponible
33690 Pièces
Prix de référence
USD 0.362768
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM60N1R4CP ROG.pdf
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TSM60N1R4CP ROG Caractéristiques

Référence fabricant TSM60N1R4CP ROG
Numéro de pièce future FT-TSM60N1R4CP ROG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM60N1R4CP ROG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60N1R4CP ROG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM60N1R4CP ROG-FT

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