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Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB65CH X0G

Name: TSM2NB65CH X0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM2NB65CH X0G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (437 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM2NB65CH X0G

quantité disponible: 22740 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM2NB65CH X0G.pdf

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TSM2NB65CH X0G Caractéristiques

Référence fabricant	TSM2NB65CH X0G
Numéro de pièce future	FT-TSM2NB65CH X0G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM2NB65CH X0G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-251 (IPAK)
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM2NB65CH X0G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM2NB65CH X0G-FT

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