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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU,LF

Numéro de pièce MFG
SSM6J502NU,LF
quantité disponible
71570 Pièces
Prix de référence
USD 0.1736
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVI MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6J502NU,LF.pdf
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SSM6J502NU,LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM6J502NU,LF
Numéro de pièce future FT-SSM6J502NU,LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVI
SSM6J502NU,LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Paquet / caisse 6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J502NU,LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6J502NU,LF-FT

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