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TSM10NC65CF C0G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G

Numéro de pièce MFG
TSM10NC65CF C0G
quantité disponible
11030 Pièces
Prix de référence
USD 1.136
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM10NC65CF C0G.pdf
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TSM10NC65CF C0G Caractéristiques

Référence fabricant TSM10NC65CF C0G
Numéro de pièce future FT-TSM10NC65CF C0G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM10NC65CF C0G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ITO-220S
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM10NC65CF C0G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM10NC65CF C0G-FT

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