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IRFD224PBF Image

Vishay Siliconix IRFD224PBF

Numéro de pièce MFG
IRFD224PBF
quantité disponible
36280 Pièces
Prix de référence
USD 1.328
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFD224PBF.pdf
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IRFD224PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFD224PBF
Numéro de pièce future FT-IRFD224PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFD224PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 630mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFD224PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFD224PBF-FT

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