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Référence fabricant | TSM05N03CW RPG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM05N03CW RPG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM05N03CW RPG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM05N03CW RPG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM05N03CW RPG-FT |
TSM2302CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM250N02CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM2314CX RFG
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TSM2323CX RFG
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TSM2303CX RFG
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TSM650P02CX RFG
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TSM2308CX RFG
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TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel