Référence fabricant | TSD2G |
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Numéro de pièce future | FT-TSD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSD2G-FT |
S1JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MR2
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel