maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1M-JR3
Référence fabricant | S1M-JR3 |
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Numéro de pièce future | FT-S1M-JR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1M-JR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-JR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1M-JR3-FT |
SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation