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TPS1120DR Image

Texas Instruments TPS1120DR

Numéro de pièce MFG
TPS1120DR
quantité disponible
68230 Pièces
Prix de référence
USD 0.72464
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPS1120DR.pdf
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TPS1120DR Caractéristiques

Référence fabricant TPS1120DR
Numéro de pièce future FT-TPS1120DR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPS1120DR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 840mW
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1120DR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPS1120DR-FT

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