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Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q

Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MD,L1Q
Price: 0.2184 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (579 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPN4R712MD,L1Q

quantité disponible: 77100 Pièces

Prix de référence: USD 0.2184

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPN4R712MD,L1Q.pdf

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TPN4R712MD,L1Q Caractéristiques

Référence fabricant	TPN4R712MD,L1Q
Numéro de pièce future	FT-TPN4R712MD,L1Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVI
TPN4R712MD,L1Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	42W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN4R712MD,L1Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPN4R712MD,L1Q-FT

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