maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH3206LDB
Référence fabricant | TPH3206LDB |
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Numéro de pièce future | FT-TPH3206LDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPH3206LDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 81W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PQFN (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH3206LDB-FT |
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