maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFBF30L
Référence fabricant | IRFBF30L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFBF30L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFBF30L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBF30L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFBF30L-FT |
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR624DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR696DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA54DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQR70090ELR_GE3
Vishay Siliconix
SQM40014EM_GE3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel