maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH11006NL,LQ
Référence fabricant | TPH11006NL,LQ |
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Numéro de pièce future | FT-TPH11006NL,LQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVIII-H |
TPH11006NL,LQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta), 34W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH11006NL,LQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH11006NL,LQ-FT |
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