maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CTLDM3590 TR
Référence fabricant | CTLDM3590 TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CTLDM3590 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CTLDM3590 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TLM3D6D8 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM3590 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CTLDM3590 TR-FT |
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K56MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J414TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5G10TU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5H12TU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel