maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD4E1B06DRLR
Référence fabricant | TPD4E1B06DRLR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD4E1B06DRLR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD4E1B06DRLR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 4 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.5V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 45W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SOT |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD4E1B06DRLR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD4E1B06DRLR-FT |
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
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DF2S7MSL,L3F
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DF2S8.2ASL,L3F
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DF2B12M4SL,L3F
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DF2B7ASL,L3F
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DF6D5M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D6M4N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF6D7M1N,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel