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TPD3215M Image

Transphorm TPD3215M

Numéro de pièce MFG
TPD3215M
quantité disponible
77290 Pièces
Prix de référence
USD 143.064
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Transphorm
Brève description
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPD3215M.pdf
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TPD3215M Caractéristiques

Référence fabricant TPD3215M
Numéro de pièce future FT-TPD3215M
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPD3215M Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Puissance - Max 470W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPD3215M Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPD3215M-FT

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