maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E1B04DPYT
Référence fabricant | TPD1E1B04DPYT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD1E1B04DPYT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E1B04DPYT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6.4V (Typ) |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 8.5V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6.3A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 50W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 1pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E1B04DPYT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E1B04DPYT-FT |
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M1CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation