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Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F

Numéro de pièce MFG
DF2B6.8M1ACT,L3F
quantité disponible
79540 Pièces
Prix de référence
USD 0.04032
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- TVS DIODE 5V 20V CST2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
TVS - Diodes
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DF2B6.8M1ACT,L3F.pdf
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DF2B6.8M1ACT,L3F Caractéristiques

Référence fabricant DF2B6.8M1ACT,L3F
Numéro de pièce future FT-DF2B6.8M1ACT,L3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DF2B6.8M1ACT,L3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type Zener
Canaux Unidirectionnels -
Canaux bidirectionnels 1
Tension - Entretoise inversée (type) 5V (Max)
Tension - Panne (Min) 6V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 20V
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) 2.5A (8/20µs)
Puissance - Peak Pulse 50W
Protection de ligne électrique No
Applications General Purpose
Capacité à fréquence 0.3pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOD-882
Package d'appareils du fournisseur CST2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF2B6.8M1ACT,L3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DF2B6.8M1ACT,L3F-FT

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