maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD1E01B04DPYT
Référence fabricant | TPD1E01B04DPYT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPD1E01B04DPYT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD1E01B04DPYT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6.4V (Typ) |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2.5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 27W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.2pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E01B04DPYT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD1E01B04DPYT-FT |
DF2S6.8UFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SMP3022-01ETGTR
SMC Diode Solutions
DF2B6.8M1ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2280E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F45I4N
Intel
5SGXMB6R1F43I2N
Intel
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C4
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel