maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPCA8007-H(TE12L,Q
Référence fabricant | TPCA8007-H(TE12L,Q |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPCA8007-H(TE12L,Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPCA8007-H(TE12L,Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCA8007-H(TE12L,Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPCA8007-H(TE12L,Q-FT |
TK13A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3564(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20A60U(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12A60U(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A60DA(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel