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Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M)

Name: TK3A60DA(Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A60DA(Q,M)
Price: 0.968 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK3A60DA(Q,M)

quantité disponible: 31840 Pièces

Prix de référence: USD 0.968

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK3A60DA(Q,M).pdf

TK3A60DA(Q,M) Caractéristiques

Référence fabricant	TK3A60DA(Q,M)
Numéro de pièce future	FT-TK3A60DA(Q,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	π-MOSVII
TK3A60DA(Q,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220SIS
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK3A60DA(Q,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK3A60DA(Q,M)-FT

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