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Référence fabricant | IRFPS40N60KPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFPS40N60KPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFPS40N60KPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7970pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 570W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | SUPER-247™ (TO-274AA) |
Paquet / caisse | TO-274AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFPS40N60KPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFPS40N60KPBF-FT |
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Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation