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Référence fabricant | TPC8221-H,LQ(S |
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Numéro de pièce future | FT-TPC8221-H,LQ(S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPC8221-H,LQ(S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
Puissance - Max | 450mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8221-H,LQ(S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPC8221-H,LQ(S-FT |
SQ3585EV-T1_GE3
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SI7900AEDN-T1-E3
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XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
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