maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI7904BDN-T1-E3
Référence fabricant | SI7904BDN-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7904BDN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7904BDN-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
Puissance - Max | 17.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7904BDN-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7904BDN-T1-E3-FT |
SI1028X-T1-GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
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XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
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EPF10K100ABC356-2
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