maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI1024X-T1-E3
Référence fabricant | SI1024X-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1024X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1024X-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 485mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 250mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1024X-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1024X-T1-E3-FT |
SIA914ADJ-T1-GE3
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SIA914DJ-T1-E3
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XC6SLX9-L1TQG144I
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LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
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EP4CE15F23C6N
Intel
EP3SL340F1517C3N
Intel
5CEBA4U19C7N
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EP20K1000EBC652-1
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