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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110(TE85L,F,M)

Numéro de pièce MFG
TPC6110(TE85L,F,M)
quantité disponible
71600 Pièces
Prix de référence
USD 0.18908
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVI MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPC6110(TE85L,F,M).pdf
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TPC6110(TE85L,F,M) Caractéristiques

Référence fabricant TPC6110(TE85L,F,M)
Numéro de pièce future FT-TPC6110(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVI
TPC6110(TE85L,F,M) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6110(TE85L,F,M) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPC6110(TE85L,F,M)-FT

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