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Référence fabricant | TPC6110(TE85L,F,M) |
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Numéro de pièce future | FT-TPC6110(TE85L,F,M) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVI |
TPC6110(TE85L,F,M) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | VS-6 (2.9x2.8) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC6110(TE85L,F,M) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPC6110(TE85L,F,M)-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
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CPH6354-TL-W
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DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
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IRF5802TRPBF
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DMN2028UVT-13
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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XC6SLX45T-N3CSG324C
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