maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TN0620N3-G
Référence fabricant | TN0620N3-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TN0620N3-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TN0620N3-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 250mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0620N3-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN0620N3-G-FT |
IRF5800TRPBF
Infineon Technologies
IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
IRF5802
Infineon Technologies
IRF5802TR
Infineon Technologies
IRF5803
Infineon Technologies
IRF5803TR
Infineon Technologies
IRF5804
Infineon Technologies
IRF5804TR
Infineon Technologies
IRF5804TRPBF
Infineon Technologies
IRF5805
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel