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Infineon Technologies IRF5802

Name: IRF5802
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5802
Availability: InStock
Rating: 4.5 (253 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF5802

quantité disponible: 56870 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF5802.pdf

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IRF5802 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF5802
Numéro de pièce future	FT-IRF5802
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF5802 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	900mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	88pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Micro6™(TSOP-6)
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5802 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF5802-FT

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