maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TK90S06N1L,LQ
Référence fabricant | TK90S06N1L,LQ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TK90S06N1L,LQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVIII-H |
TK90S06N1L,LQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 157W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK90S06N1L,LQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK90S06N1L,LQ-FT |
IRLR7843TRPBF
Infineon Technologies
AUIRFR5305
Infineon Technologies
FCD5N60TM-WS
ON Semiconductor
FCD620N60ZF
ON Semiconductor
FCD850N80Z
ON Semiconductor
FDD10AN06A0
ON Semiconductor
FDD5353
ON Semiconductor
FDD6530A
ON Semiconductor
FDD86102
ON Semiconductor
FDD86326
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.