maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDD86102
Référence fabricant | FDD86102 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDD86102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDD86102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta), 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD86102-FT |
IRFS7437-7PPBF
Infineon Technologies
IRFS7437TRL7PP
Infineon Technologies
FDD6N20TM
ON Semiconductor
FQD4N20TM
ON Semiconductor
HUFA76409D3ST
ON Semiconductor
FDD3672-F085
ON Semiconductor
FDD8878
ON Semiconductor
FDD86380-F085
ON Semiconductor
FDD6N50TM-WS
ON Semiconductor
FDD8778
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation