maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TK6A80E,S4X
Référence fabricant | TK6A80E,S4X |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TK6A80E,S4X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | π-MOSVIII |
TK6A80E,S4X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 600µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220SIS |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK6A80E,S4X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK6A80E,S4X-FT |
TK750A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6030ENX
Rohm Semiconductor
IRLIZ44GPBF
Vishay Siliconix
2SK3046
Panasonic Electronic Components
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix
R6015ANX
Rohm Semiconductor
RCX100N25
Rohm Semiconductor
IRFI740GPBF
Vishay Siliconix
R6007ENX
Rohm Semiconductor