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Vishay Siliconix IRFIBF30GPBF

Numéro de pièce MFG
IRFIBF30GPBF
quantité disponible
97200 Pièces
Prix de référence
USD 3.2
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFIBF30GPBF.pdf
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IRFIBF30GPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFIBF30GPBF
Numéro de pièce future FT-IRFIBF30GPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFIBF30GPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFIBF30GPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFIBF30GPBF-FT

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