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Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ

Name: TK65G10N1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65G10N1,RQ
Price: 1.04052 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (110 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK65G10N1,RQ

quantité disponible: 87630 Pièces

Prix de référence: USD 1.04052

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK65G10N1,RQ.pdf

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TK65G10N1,RQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK65G10N1,RQ
Numéro de pièce future	FT-TK65G10N1,RQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TK65G10N1,RQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	65A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	156W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK65G10N1,RQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK65G10N1,RQ-FT

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